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产品型号 | IRFP150N | 品牌 | IR | 封装 | TO-247AC | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管100V 39A 36mOhm 73.3n | 查看资料 | IRFP150N | |
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产品说明
IRFP150N描述:来自国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术,可实现每硅面积的极低导通电阻。 这种优点与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件,可广泛用于各种应用中。 TO-247封装是商业工业应用的首选,在商业应用中,较高的功率水平导致无法使用TO-220器件。 TO-247与之相似,但由于其隔离的安装孔而优于早期的TO-218封装。
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 39 A
Rds On-漏源导通电阻: 36 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Qg-栅极电荷: 110 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 140 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
配置: Single
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
商标: Infineon / IR
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 400
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下一页 尾页 页码:1/10 | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | PT334-6B(IR333C-A) | EVERLIGHT | DIP-2 | 红外光电接收管 | | | | | IRF540NPBF | IR/Infineon | TO-220 | N沟道场效应管100V,44mO,33A,140W | | | | | IRFB4110 | INFINEON/英飞凌 | TO-220AB | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | IRFB4110PBF | INFINEON/英飞凌 | TO-220 | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | IRF540NPBF | Infineon | TO-220AB | 100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管 | | | | | IRF540N | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管33A,140W | | | | | IRFB7430PBF | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | IRFB7430 | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | IRFR3607TRPBF | Infineon | TO-252 | N沟道场效应管(MOSFET)56A75V | | | | | SDH2136U | Silan | SOP-28 | 兼容IR2136S三相半桥驱动电路 | | | | | AP1511B | UWM | SOT-23-6 | IR-Cut Removable (ICR)专用驱动IC | | | | | IRF740PBF | VISHAY | TO-220 | N沟道场效应管10A 400V | | | | | IRGP35B60PDPBF | IR | TO-247 | IGBT管600V,35A,308W | | | | | IRLB3034 | IR | TO-220 | N沟道场效应管343A40V | | | | | IRLB3034PBF | IR | TO-220 | N沟道场效应管343A40V | | | | | IRFPC60 | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IRFPC60 | IR | TO-247 | 功率场效应管16A 600V | | | | | IRFPC60PBF | IR | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | IR2104STRPBF | IR | SOP-8 | 桥式驱动芯片 | | | | | IR2104S | IR | SOP8 | 桥式驱动芯片 | | | | |
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