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产品型号 | 110N8F6 | 品牌 | ST | 封装 | TO-220 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管110A80V | 查看资料 | 110N8F6 | |
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产品说明
产品种类: MOSFET 制造商: STMicroelectronics RoHS: 符合RoHS 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 110 A Rds On-漏源导通电阻: 5.6 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: +/- 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V Qg-栅极电荷: 150 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 175 C 通道模式: Enhancement 商标: STMicroelectronics 配置: 1 N-Channel 下降时间: 48 ns 高度: 15.75 mm 长度: 10.4 mm Pd-功率耗散: 200 W 上升时间: 61 ns 工厂包装数量: 1000 晶体管类型: 1 N-Channel 典型关闭延迟时间: 162 ns 典型接通延迟时间: 24 ns 宽度: 4.6 mm 单位重量: 330 mg
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