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产品型号 | WGD15N10 | 品牌 | WG | 封装 | TO-252 | 价格 | 电询 | 描述 | 15A100V N沟道场效应管 | 查看资料 | WGD15N10 | |
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产品说明
属性 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 20A(Tc)
栅源极阈值电压 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻 80mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 50W(Tc)
类型 N沟道
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下一页 尾页 页码:1/10 | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | WGF10N65SE | WG | TO-220F | N沟道场效应管10A650V |  |  |  | | WGF20N65SE | WG | TO-220F | 高压MOS场效应管20A650V |  |  |  | | CA-IS3211SCWG | CHIPANALOG | SOIC8-WWB(WG) | 超宽体光耦兼容型隔离驱动 |  |  |  | | CA-IS3050WG | CHIPANALOG | SOIC8-WWB(WG) | 隔离式CAN收发器 |  |  |  | | CA-IS3020WG | CHIPANALOG | SOIC8-WWB(WG) | 低功耗单双向I2C隔离器 |  |  |  | | WG4953A | WG | SOP-8 | P沟道场效应管-4.1A,-30V;RDS<44MR |  |  |  | | WG9435A | WG | SOP-8 | P沟道场效应管-5.3A -30V |  |  |  | | WGA40N50SE | WG | TO-247 | 高压MOS场效应管40A500V |  |  |  | | WGA32N50L | WG | TO-247S | 高压MOS场效应管32A500V |  |  |  | | WGA30N50SE | WG | TO-247/TO-247 | 高压MOS场效应管30A500V |  |  |  | | WGF30N50SE | WG | TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263/TO-3P/TO-247S | 高压MOS场效应管30A500V |  |  |  | | WGF20N50SE | WG | TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263/TO-3P/TO-247S | 高压MOS场效应管20A500V |  |  |  | | WGF18N50SE | WG | TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263/TO-3P/TO0-247S | 高压MOS场效应管18A500V |  |  |  | | WGF16N50SE | WG | TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263/TO-247S | 高压MOS场效应管16A500V |  |  |  | | WGF13N50SE | WG | TO-252/TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263 | 高压MOS场效应管13A500V |  |  |  | | WGF10N50SE | WG | TO-251/TO-252/TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263 | 高压MOS场效应管10A500V |  |  |  | | WGF5N50SE | WG | TO-251/TO-252/TO-220/TO-220F/TO-262/TO-263 | 高压MOS场效应管5A500V |  |  |  | | WG2N50SE | WG | TO-252/TO-251 | 高压MOS场效应管2A500V |  |  |  | | WGA30N60LK | WG | TO-247S | 高压MOS场效应管30A600V |  |  |  | | WGF30N60SE | WG | TO-220F/TO-3P/TO-247S/TO-247 | 高压MOS场效应管30A600V |  |  |  | |
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